Hersteller Produktnummer:
IPU78CN10N G
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPU78CN10N G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 13A TO251-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 13A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventar:
12805958
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IPU78CN10N G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
78mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 12µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
716 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
31W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO251-3
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
IPU78C
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,500
Andere Namen
SP000209098
IPU78CN10NG
IPU78CN10N G-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFU3910PBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
3219
TEILNUMMER
IRFU3910PBF-DG
Einheitspreis
0.36
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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